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137-2866-5346這是因為器件的許多電學和機械性質都與它的原子級結構有關。這就要求原子具有重復性結構，從而使得芯片與芯片之間的性能具有重復性。
在某些情況下，需要硅片有非常純的、與半導體襯底有相同晶體結構的硅表面，還要保持對摻雜類型和濃度的控制。這要通過在硅片表面淀積一層外延層來實現
半導體外延定義:外延(epitaxy)是在單晶襯底上生長一層單晶膜的技術。新生單晶層按襯底晶向延伸生長， 并稱此為外延層。長了外延層的襯底稱為外延片
半導體外延特點：
晶體結構良好
摻入的雜質濃度易控制
可形成接近突變p—n結
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